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中性鹽霧試驗(yàn)箱不同條件對(duì)電路板元件試驗(yàn)結(jié)果的影響分析

更新時(shí)間:2021-08-05  |  點(diǎn)擊率:1064
  中性鹽霧試驗(yàn)箱不同條件對(duì)電路板元件試驗(yàn)結(jié)果的影響分析
 
  產(chǎn)品的耐鹽霧腐蝕試驗(yàn)方法可分成兩大類:天然環(huán)境暴露試驗(yàn)和人工加速模擬鹽霧環(huán)境試驗(yàn)。天然環(huán)境暴露試驗(yàn)是將樣品放在某一典型氣候區(qū)域,在貯存環(huán)境下考察樣品的耐鹽霧腐蝕性情況。天然環(huán)境暴露試驗(yàn)的周期一般很長(zhǎng),需要幾年甚至十幾年,同時(shí),需要試驗(yàn)人員長(zhǎng)期進(jìn)行檢查和記錄,所需人力、財(cái)力、物力較大。其試驗(yàn)結(jié)果也只適用部分地區(qū),在另一些地區(qū)則可能不適用。
 
  人工加速模擬環(huán)境試驗(yàn)是利用具有一定容積空間鹽霧試驗(yàn)箱,在其容積空間內(nèi)用人工方法造成鹽霧環(huán)境,對(duì)元器件的耐鹽霧腐蝕性能質(zhì)量進(jìn)行考核。它彌補(bǔ)了天然環(huán)境暴露試驗(yàn)的不足,通過(guò)提高鹽霧環(huán)境中氯化物的濃度,使腐蝕速度大大提高,得出結(jié)果的時(shí)間也縮短了很多。人工模擬鹽霧環(huán)境試驗(yàn),使樣品的耐鹽霧腐蝕質(zhì)量不受自然環(huán)境條件的影響,因此得到了較快的發(fā)展,從單一的氯化鈉鹽霧試驗(yàn)發(fā)展成為多種類型試驗(yàn)。常見(jiàn)的鹽霧試驗(yàn)可分為4 類:中性鹽霧試驗(yàn),醋酸鹽霧試驗(yàn),銅加速醋酸鹽霧試驗(yàn),交變鹽霧試驗(yàn)。本文主要分析中性鹽霧試驗(yàn)各項(xiàng)試驗(yàn)條件對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響。
 
  本次鹽霧試驗(yàn)采用美國(guó)Q-Lab公司研發(fā)的Q-FOG CCT-600鹽霧試驗(yàn)箱進(jìn)行試驗(yàn),試驗(yàn)方法試驗(yàn)方法采用GJB548 B22005方法1009.2中性鹽霧試驗(yàn)的相關(guān)規(guī)定,試驗(yàn)時(shí)間為24h,基本技術(shù)參數(shù)范圍:
 
  溫度25°C~50°C,氯化鈉溶液濃度0.5%~5% ,樣品擺放角度15°~45°,鹽溶液pH值6.5~7.2 ,沉降率(1~2.47) mL/2000px2·h,
 
  選取80只外觀無(wú)損傷、不漏氣、表面干凈、無(wú)明顯劃傷的元器件,平均分成4組,每組20只;每組均采用4種不同的試驗(yàn)條件,每種試驗(yàn)條件使用5只電路。分組試驗(yàn)后的結(jié)果按照GJB548B22005方法1009.2中圖2(計(jì)算腐蝕面積的卡片)給出的各腐蝕面積比例形態(tài)進(jìn)行比對(duì)。試驗(yàn)結(jié)果如表1到表4
 
  試驗(yàn)證明,鹽霧試驗(yàn)是考核元器件抗鹽霧腐蝕能力的重要方法,試驗(yàn)結(jié)果的科學(xué)性、合理性至關(guān)重要。影響鹽霧試驗(yàn)結(jié)果的因素很多。但是以本次測(cè)試使用標(biāo)準(zhǔn)GJB548 B22005為例,只要在整個(gè)試驗(yàn)過(guò)程中注意準(zhǔn)確控制試驗(yàn)溫度、氯化鈉溶液濃度和pH值、鹽霧沉降率、產(chǎn)品擺放角度等關(guān)鍵因素,如試驗(yàn)溫度控制在35°C,溶液濃度控制在1%~5% ,pH值控制在6.5~7.2,鹽霧沉降率控制在1~1.5mL/80 cm2·h 之間,產(chǎn)品擺放角度為30°,就能保證試驗(yàn)結(jié)果的正確性和良好的重現(xiàn)性。